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多次变革誓要拿下!三星HBM3E内存终获NVIDIA通过

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7月19日消息,据媒体报道,三星电子的HBM3E内存终于成功通过NVIDIA的认证测试,预计从下个季度开始向NVIDIA供货。

此前,三星电子为了集中力量发展HBM技术,已对其半导体业务线进行了多次调整,包括成立专门的HBM小组和改组DS(设备解决方案)部门等,誓要拿下NVIDIA这个大客户。

业界预期,三星电子将在7月31日的财务报告会议上宣布这一消息,三星电子的HBM3E内存技术采用自家的4nm制程工艺制造逻辑芯片,目前该工艺的良品率已超过70%。

此外,三星电子的HBM3E内存技术通过NVIDIA认证,不仅有助于公司重新夺回HBM技术和市场份额,还可能对DRAM市场供应产生影响。

据估计,三星电子可能会从其DRAM产能中调拨约30%专项生产HBM,这将削减约13%的全球DRAM供应量,进一步推高DRAM价格。

业界普遍认为,随着NVIDIA下一代Blackwell架构的预期需求,HBM内存的需求量将大幅增加,三星电子有望成为NVIDIA的重要供应商。

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