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SK海力士明年量产400层闪存!能让SSD更便宜吗?

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8月4日消息,据报道,SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存,将于2025年投入大规模量产,再次遥遥领先。

为了达成如此密集的堆叠,SK海力士使用了所谓的4D NAND闪存、混合键合技术,也就是W2W(wafer-to-wafer)结构,将两块晶圆键合在一起,和目前将闪存单元置于外围驱动电路之上的PUC结构截然不同。

这就涉及到了连接不同晶圆的各种材料和技术,包括抛光、蚀刻、沉淀、引线等各个阶段。

其实,这就颇有点长江存储晶栈结构的味道了。

SK海力士在去年8月已经展示了321层堆叠闪存的样品,是第一家做到300+层的,而且是TLC。

其他厂商方面,三星已经量产290层闪存,目标是2030年超过1000层。

美光已经将276层闪存投入实用。

铠侠去年达成了218层,暗示有望在2027年就达到1000层。

长江存储……不公开,也不能说。

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