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三星全球首发量产第九代QLC闪存:一颗1Tb、写入提升100%

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9月12日消息,三星电子官方宣布,已经开始批量生产第九代QLC V-NAND闪存,单颗容量1Tb(128GB)。

就在今年4月,三星开始量产第九代TLC V-NAND闪存,二者只间隔4个月。

三星第九代QLC NAND闪存加入了多项创新:

一是通道孔蚀刻(Channel Hole Etching)。

基于双堆栈架构,实现了当前业内最高的单元堆叠层数(具体未公开)。同时优化存储单元面积、外围电路,位密度比上代提升约86%。

二是预设模具(Designed Mold)。

可以调整、控制存储单元的字线(Word Line)间距,确保同一单元层内、单元层之间的存储单元的特性保持一致,达到最佳效果,数据保持性能提升约20%,增强了可靠性。

三是预测程序(Predictive Program)。

能够预测、控制存储单元的状态变化,尽可能减少不必要的操作,写入性能翻倍,数据输入/输出速度提升60%。

四是低功耗设计(Low-Power Design)。

降低了驱动NAND存储单元所需的电压,只感测必要的位线(Bit Line),数据读取功耗约分别下降了约30%、50%。

三星第九代QLC V-NAND闪存将首先用于消费电子产品,然后逐步在UFS、PC、服务器领域铺开。

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