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内存常用术语介绍。

BANK:BANK是指内存插槽(也称内存库)的计算单元，是计算机系统与内存之间数据汇聚的基本操作单元。

内存的速度：内存的速度是根据CPU和内存之间每次数据处理所花费的时间来计算的，总线周期以纳秒(ns)为单位。

内存条(Memory Module):内存条(memory module)是指表面嵌有若干内存条的印刷电路板，这种内存条通常是DRAM芯片。

然而，在最近的系统设计中，也使用嵌入在存储模块中的DRAM芯片的数量和单个芯片的容量。

它是决定存储模块设计的主要因素。

SIMM(单列直插式内存模块):电路板上焊接有不同数量的内存IC，可分为以下两种：

72针：72针单面内存模块用于支持32位数据处理。

30针：30针单面内存模块用于支持8位数据处理能力。

DIMM(双列直插式内存模块):(168pin)用于支持64位或更宽的总线，仅使用3.3伏，通常用于64位台式电脑或服务器。

RIMM:RIMM模块是下一代存储模块的主要规格之一。它是英特尔1999年推出的芯片组支持的内存模块，带宽高达1.6Gbyte/sec。

So-DIMM(小轮廓双列直插式内存模块)(144pin):这是一个改进的DIMM模块，比一般的DIMM模块要小。

它适用于笔记本电脑、列表机、传真机或各种终端。

PLL:它是一个锁相环，用来统一时钟信号，使存储器能正确存取数据。

Rambus内存条(184PIN):一种使用直接RDRAM的内存条，叫做RIMM模块，有184pin管脚，数据输出方式是串行的，与现在使用的DIMM模块168pin不同，

并行输出的架构非常不同。

6层V.S. 4层：是指PCB的印刷电路板由6层或4层玻璃纤维制成，SDRAM通常采用6层。

虽然会增加PCB成本，但可以避免噪声干扰，4层板可以降低PCB成本，但效率较差。

寄存器：就是缓冲区的意思，作用是实现高速同步。

SPD:串行存在检测(Serial Presence Detect)的缩写，是烧录在EEPROM中的代码。以前BIOS开机都要检测内存，而有了SPD，就不用再检测了。

BIOS直接读取SPD来获取内存的相关数据。

奇偶校验码和ECC的比较：奇偶校验码广泛应用于检错码中。它们给数据的每个字符(或字节)添加一个校验位。

并且它可以检测一个字符中所有的奇(偶)奇偶校验错误，但是奇偶校验有一个缺点。当计算机在一个字节中发现错误时，它不能确定错误在哪里，所以它不能纠正错误。

Buffer V.S. Unbuffer:带缓冲的DIMM是一种改善时序问题的方法。虽然可以为系统设计无缓冲的DIMM，但是只能支持四个DIMM。

如果在100Mhz速度的主板上使用不带缓冲的DIMM，访问效果会很差。带缓冲的DIMM可以使用四块以上的内存，但如果缓冲速度不够快，就会影响其执行效果。换句话说，

带缓冲区的DIMM可能会变慢，但它可以支持更多的DIMM。

自刷新：DRAM有独立的内置充电电路，在一定时间内自行充电，通常用于笔记本电脑或对省电要求较高的便携式电脑。

CAS潜伏期：通常指CL。例如，CL=3，这意味着当计算机系统从主存储器中读取第一个数据时，所需的准备时间是3个外部系统时钟。

CL2和CL3在第一次读取数据所需的准备时间上只相差一个时钟，对整个系统的性能没有显著影响。

时钟信号：时钟信号提供给同步存储器进行信号同步，同步存储器的访问动作必须与时钟信号同步。

本文讲解今天到此结束，希望对大家有所帮助。